万维百科

肖克利半导体实验室

原来的肖克利大楼位于加州山景市圣安东尼奥路391号,在2006年时是一个街头市集。

肖克利半导体实验室(英语:Shockley Semiconductor Laboratory),是贝克曼仪器公司英语Beckman Instruments的一个部门, 是第一个为经营制造半导体装置所设立的机构,后来发展演变为众所周知的硅谷。1957年时,8位顶尖的科学家离开了实验室,成立仙童半导体公司,造成实验室无法弥补的损失。实验室在1960年时被克利维特公司英语Clevite买下,在1968年被卖到ITT公司后正式关闭。离开公司的工程师们依旧留在这个地区从事同样的工作;很快的,在旧金山湾区建立起完整的工业。

肖克利回到加州

威廉·肖克利加州理工学院完成攻读他的学士学位后,移居到东部在麻省理工学院取得了博士学位 。1936年毕业后立刻开始在贝尔实验室工作。从1930年代到1940年代,他从事电子装置工作并致力于半导体材料。这促使了1947年他与工作伙伴:约翰·巴丁沃尔特·布喇顿,还有其他人,创造出第一个晶体管。从1950年代早期,一连串的事件使得肖克利对于贝尔实验室的管理方式逐渐不适应,特别是在晶体管的专利上,贝尔实验室将巴丁及布喇顿的名字列在他的前面,让他感觉受到忽视。然而,众多因素之一是,与他一起工作的人,提出对肖克利不近人情管理方式的建议,这个原因使他常常在公司内部晋升上遭到略过。这些因素严重到令他在1953年时,取得短暂的工作假期并且回到加州理工学院担任客座教授。

在这里肖克利遇见了在1934年发明pH测量计阿诺德·奥维尔·贝克曼英语Arnold Orville Beckman并建立友谊。在此期间,肖克利确信了的自然特性终将取代而成为晶体管结构中的主要材料。德州仪器已在近期开始生产硅晶体管(于1954年),然而肖克利认为他可以做一个更好的。贝克曼同意肖克利在他的公司,贝克曼仪器公司英语Beckman Instruments,的保护伞下,在这个地区继续努力旧有的工作。可是,肖克利的母亲再次并且常常生病,于是他决定住在离他母亲位于帕罗奥图房子的附近。

1956年在靠近山景城附近,肖克利半导体实验室开办小型商店事业。初期他尝试从贝尔实验室雇用与他同类型的工作者,但是没有人想离开东岸,而且还是最高科技的研究中心。取而代之的是,他组织了一个年轻科学家与工程师的团队,并且订定关于设计可以用来生产单晶硅棒英语Boule (crystal)的新型长晶系统的计划。于此同时,硅的高熔点特性赋予了艰钜的前途。

肖克利二极管

肖克利在持续研究晶体管时,被使用四层装置(均为晶体管)的灵感所启发,而这个装置可能会有不需要进一步控制输入端就可以锁定进入“开”或“开”状态的新颖特质。 类似的电路需要若干个晶体管,一般是三个,所以对于大型的开关网络,新的二极管可以大幅降低复杂性。[1][2]这个四层二极管就是现在所称的肖克利二极管

肖克利确信这个新型装置会成为如晶体管般的重要,所以对于整个计划保密,即使在公司内部也不例外。这导致了逐渐增加的偏执行为;一个著名的事件是,他被一个秘书断指是用来伤害他的计谋所说服,于是下达命令对公司内的所有人使用测谎机。这与肖克利优柔寡断的计划管理方式互相结合;有时候他会觉得将基本的晶体管立刻导入生产是最重要的,而不注重肖克利二极管计划是因为要制作“完美”的生产系统。

八叛逆

最终一群年轻的员工越级肖克利,向阿诺德·贝克曼要求有人能取代肖克利的管理角色。贝克曼起初显露倾向于同意他们的要求,但是随着时间的推移,一系列的决策都显示贝克曼是站在肖克利同一边,使得最终无法得到改变是非常清楚的。厌倦之余,这个小组转而寻求谢尔曼·费尔柴尔德英语Sherman Fairchild主掌的仙童摄影器材英语Fairchild Camera and Instrument的支持,这是间拥有军方合约的美国东部公司。1957年,仙童半导体创始于制做硅晶体管的计划上。肖克利曾表示他们是“八叛逆”,分别是朱利亚斯·布兰克英语Julius Blank维克多·格里尼克金·赫尔尼英语Jean Hoerni尤金·克莱尔英语Eugene Kleiner杰·拉斯特英语Jay Last高登·摩尔罗伯特·诺伊斯谢尔顿·罗伯茨英语Sheldon Roberts等8人。[3][4]

这8人后来离开快捷去创办他们自己的公司,之中有英特尔超微半导体,还有其他超过20年的期间,65家不同的公司被第一代或者第二代创建于硅谷中,多可追溯到肖克利半导体的团队。[5]

肖克利不曾利用管理来取得四层二极管在商业上的成功,尽管他制订出许多技术细节并且于1960年代全面生产。集成电路的出现允许了需要用数个晶体管来制作的开关,实现整合在单一"芯片"上,因此,终止了肖克利的设计中元件数量的优势。[5]不过,公司里真的还有一些其他成功的计划,包含第一个太阳能电池的坚实理论研究,开发出具有前景并将基础硅太阳能电池的效能上限提升到30%的肖克利-奎塞尔极限英语Shockley-Queisser limit[6]

相关条目

参考

文献
引用
  1. ^ Kurt Hubner, "The Four-Layer Diode in the Cradle of Silicon Valley" 互联网档案馆存档,存档日期2007-02-19., Electrochemical Society Proceedings, Volume 98-1
  2. ^ "Historic Transistor Photo Gallery Photo Essay – Shockley 4 Layer Diodes"
  3. ^ Gerald W. Brock. The second information revolution. Harvard University Press. 2003: 88. ISBN 978-0-674-01178-6.
  4. ^ David Plotz. The Genius Factory: The Curious History of the Nobel Prize Sperm Bank. Random House Digital. 2006: 90. ISBN 978-0-8129-7052-4.
  5. ^ 5.0 5.1 Lécuyer 2006.
  6. ^ William Shockley and Hans J. Queisser, "Detailed Balance Limit of Efficiency of p-n Junction Solar Cells" Archive.is存档,存档日期2013-02-23, Journal of Applied Physics, Volume 32 (March 1961), pp. 510-519; doi:10.1063/1.1736034

外部链接

坐标37°24′18″N 122°06′39″W / 37.4049544°N 122.1109664°W / 37.4049544; -122.1109664


本页面最后更新于2021-05-31 09:59,点击更新本页查看原网页。台湾为中国固有领土,本站将对存在错误之处的地图、描述逐步勘正。

本站的所有资料包括但不限于文字、图片等全部转载于维基百科(wikipedia.org),遵循 维基百科:CC BY-SA 3.0协议

万维百科为维基百科爱好者建立的公益网站,旨在为中国大陆网民提供优质内容,因此对部分内容进行改编以符合中国大陆政策,如果您不接受,可以直接访问维基百科官方网站


顶部

如果本页面有数学、化学、物理等公式未正确显示,请使用火狐或者Safari浏览器